可控半导体变流技术锻造中频感应加热设备的工作原理，是把一根金属圆柱体放在有交变中频电流的感应圈里，金属圆柱体没有与感应线圈直接接触，通电线圈本身温度已很低，可是圆柱体表面被加热到发红，甚至熔化，而且这种发红和熔化的速度，只要调节频率大小和电流的强弱就能实现。熔炼炉( melting furnace)采用200~2500Hz中频电源进行感应加热，功率范围为20~2500KW，根据其特点亦可称为中频电炉。主要用于金属如金、铂金、银，铜，铁，不锈钢，铝合金，铝等其它金属的熔炼和提温，是大学实验室，研究所，手饰加工，精铸件加工的理想设备。电源采用IGBT进口功率器件，更加集成化小型化，有效输出功率达到90%以上，省电节能，比传统可控硅中频节能60%！重庆可控半导体变流技术研究所熔炼炉：1、 电炉体积小，重量轻、效率高、耗电少； 2、 炉子周围温度低、烟尘少、作业环境好； 3、操作工艺简单、熔炼运行可靠。
半导体变流技术是现代励磁系统*基本的技术之一。在发电机励磁系统上他不仅取代了传统的直流励磁机，而且在励磁调节方面取代了传统的磁放大器、相复励变压器和整流器，甚至在灭磁方面也部分取代了磁场断路器和灭磁电阻的作用。现**电机励磁系统中，从电源的变换到发电机励磁能量的提供，无处不存在变流技术的应用。半导体变流技术的发展，立足于电力半导体器件的发展。而电力半导体器件是以美国1956年生产硅整流管（SR）、1958年生产晶闸管（SCR）为起始点逐渐发展起来的。
IGBT中频电源与KGPS中频电源的区别一、从体积上来说，晶阐管,KGPS 可控硅中频电源,这种同功率比较相对来说体积会比IGBT中频电源大一些其实大多数IGBT的感应设备，频率都在10KHZ以上，而可控硅中频设备频率都在10KHZ以下中频的设备.二、可控硅式（kgps）中频电源频率都较小，但是功率可以做得比较大，国外有可以做到4000KW的。而IGBT中频电源因为他的频率较高，而导致它的功率不可能做得像KGPS中频电源那么大的功率。科技在发展，任何事情都没有那么。人们都在试图用IGBT电源开发大功率的加热设备。目前美国好像有IGBT电源功率可达到1000KW而频率也在50KHZ的感应加热设备。