内蒙古实力创造价值湿式静电除尘器原理及参数，企业文化：创 新：创新是企业的灵魂,决定企业的生存；创新是一种生活态度，决定个人的未来。
蚀刻的作用：线路成型。蚀刻分为干蚀刻与湿蚀刻，其区别如下：干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反 应去掉 想去除的部分，从而将所需要的 线路图形留在玻璃基板上。干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。湿蚀刻：利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。湿蚀刻为等向性蚀刻。湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以控制线宽和 获得极其精细的图形并且需要大量用水，污染大 ；干蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以控制线宽能获得极其精细的图形，而且 不需要用水，污染小。Etching process in ArrayDry etching ：特点：1.异向性较强的蚀刻 2.能进行微细加工 3.对panel造成的damage较大Wet etching：特点：1.等向性蚀刻 2.设备成本较低且易维护
Procedure in wet etching湿蚀刻反应过程大概可以分为个阶段：反应物质扩散到欲被蚀刻材质的表面反应物与被蚀刻薄膜反应
Dry etcher的基本构造1.Process Chamber ：电极板（表面批覆氧化物）(PC)2.Load and Lock chamber (L/L)3.Transfer Chamber (T/M) MFC（mass Flow controller） APC（AdapativePressure Controller） ISO Value Pump：Dry Pump MBP：Mechanical Booster Pump TMP：Turbo Molecular Pump根据隔膜的弧度，静电容量来测定压力。特征：与gas 种类无关，准确度高；接触大气会产生damage，有valve的保护。
Taper controlTaper：指蚀刻后的断面倾斜度，影响后续沉积薄膜的覆盖性。对金属膜层及ITO膜层，采用湿蚀刻易于蚀刻速率及Taper等的控制，且设备低廉。Process control从蚀刻速率、均一性、CD loss基础评价，及蚀刻残留、mura、taper等出发，考虑制程能力。
1.制程参数复杂 2.耗材成本高 3.特气危险性高Wet EtchantWhat is wet etching ？湿蚀刻是借适当的腐蚀性溶液对所欲去除的膜层利用化学反应来去除的制程。优点：设备费用低廉，制程单纯且量产速度快等。缺点：CD loss较大，不易将线宽控制得极为精准等。易有under cut现象。相比之下，干蚀刻异向性强，线宽稳定性易于控制，缺点为机台设备及维护费用高，量产速度慢。