广西eb电子束板材，现已拥有专利技术55项，其中发明专利13项。
研究小组演示了DELFIN，它可以直接图案化分辨率低于100 nm的纳米材料，而无需用有机抗蚀剂和其他杂质稀释NC来阻止电荷和热量通过图案化层的传输。与DOLFIN相似，DELFIN工艺使用电子束敏感的NC墨水。由于许多PAG对电子束曝光敏感，因此她们探索可用于电子束图案化的PAG型正性DOLFIN油墨。
图2.（A）非离子PAG DOLFIN的示意图（B）在两种不同离子浓度的溶液中1.3 nm CeO 2 NCs的数值计算的相互作用能（DLVO）曲线：低浓度（0.001 M）表示NC墨水的状况照射前，高浓度（1M）表示照射后NC墨水的状态（图S27中提供了更多细节）。无机功能性纳米材料的直接电子束光刻EBL是一项强大的技术，它使用聚焦的电子束以很高的分辨率进行直接写入图案化。与传统的光刻相比，EBL可以提供更好的分辨率，因为电子束具有非常短的波长（0.2-0.5Å），并且可以聚焦到亚纳米级。因此，分辨率不是由衍射极限确定的，它可以实现非常小的特征。
图2.（A）非离子PAG DOLFIN的示意图（B）在两种不同离子浓度的溶液中1.3 nm CeO 2 NCs的数值计算的相互作用能（DLVO）曲线：低浓度（0.001 M）表示NC墨水的状况照射前，高浓度（1M）表示照射后NC墨水的状态（图S27中提供了更多细节）。无机功能性纳米材料的直接电子束光刻EBL是一项强大的技术，它使用聚焦的电子束以很高的分辨率进行直接写入图案化。与传统的光刻相比，EBL可以提供更好的分辨率，因为电子束具有非常短的波长（0.2-0.5Å），并且可以聚焦到亚纳米级。因此，分辨率不是由衍射极限确定的，它可以实现非常小的特征。
同时她们还介绍了一种用于功能性无机纳米材料（DELFIN）的无抗蚀剂直接电子束光刻的通用方法，该方法可实现特征尺寸低至30 nm的全无机NC图案，同时保留图案化NC的光学和电子特性。
图8.功能性无机纳米材料（DELFIN）的直接电子束光刻。EBL图案的“裸” CeO 2的 SEM图像，其线宽为（A）50 nm和（B）30 nm。（C）以100nm的线宽图案化的CdSe-Sn 2 S 6 NC和（D）以100nm的线宽图案化的CdSe / ZnS-Sn 2 S 6 -PAG。插图显示了来自100 nm宽的CdSe / ZnS NC条纹的PL，并用电子束进行了图案化；比例尺：10μm。借助这些设计的配体，不仅可以使用DUV光而且可以使用365 nm i线紫外光，405 nm h线蓝光和450 nm可见光直接对各种技术上重要的材料进行构图。除了光学光子之外，还可以使用其他刺激来图案化DOLFIN墨水。通过利用电子束的优势，DELFIN可以实现更高的分辨率。这些策略将帮助我们进一步发展DOLFIN和DELFIN方法，将其作为功能强大且用途广泛的纳米制造平台，以补充传统的光敏聚合物光刻技术，并扩展目前的纳米制造能力。