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厦门传统工艺酿酒批发【优选】(2024更新成功)(今日/优选)

作者:198048 时间:2024-04-04 23:54:34

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GaN 和 Si 的晶格常数有 17%的差异, 这些差异容易导致 GaN 表面产生缺陷。GaN 和 Si 热膨胀系数差异较大(CTE 有 57%的差异)。以上的影响因素再加上制作工艺的影响导致了 GaN on Si 的制作工艺复杂和良率较低等问题, 并堆高了售价。在工业上对该方案的解决思路是通过加入不同的 buffer 层来减少 GaN 和 Si 之间的晶格差异以及 CTE 差异 (29) 。Fig 3.1.4 Examples of GaN on Si (29)

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