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佛山市南海琦玖节能设备有限自成立以來，一直专注于研究，开发各类机床加工时产生废弃物的再生，回收，循环使用的机床配套设备。在不断的创新改进，为广大客户提供优质的产品,琦玖坚持以客户和市场为导向，提供高品质和服务的信念。
刻蚀是光刻之外重要的集成电路制造步骤，存在多项关键工艺指标，对芯片良 品率和产能影响很大。刻蚀设备想要达成相关的工艺指标，则需要长期的实验和 跑片来积累经验和 knowhow，并不断调试设备各个子系统的相应参数设置。因此， 刻蚀设备行业存在较高的壁垒。 1） 刻蚀速率即在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，实际生产中为了提高产 量，需要提高刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中，它是一个非常重要的参数。 2） 刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状，有两种基本的刻蚀剖面，分别是各向 同性和各向异性。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和纵向）以相同 的刻蚀速率进行刻蚀。3） 刻蚀偏差 刻蚀偏差是指刻蚀之后线宽或关键尺寸的变化。
2.2. 5nm 逻辑芯片制造刻蚀步骤攀升至 160 次在摩尔定律的推动下，晶体管集成度大幅提高，对应的集成电路线宽不断缩小， 这直接导致集成电路制造工序愈为复杂。根据 SEMI 统计，20 纳米工艺所需工序 约为 1,000 道，而 10 纳米工艺和 7 纳米工艺所需工序已超过 1,400 道。尤其当线 宽向 10，7，5 纳米甚至更小的方向升级，需要采用多重模板工艺，重复多次薄膜 沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，这使得刻蚀次数显著增加。据 SEMI 统计，20 纳米工艺需要的刻蚀步骤约为 50 次，而 10 纳米工艺和 7 纳米工艺所需刻蚀步骤 则超过 100 次。逻辑制程中的刻蚀步骤数量的大幅增加，意味着刻蚀设备的市场 需求数量持续增长。
新型 FinFET 架构的采用，也提升了刻蚀的重要性。FinFET 称为鳍式场效应晶体 管，在该结构中，闸极设计成类似鱼鳍的叉状 3D 结构。其相对于平面结构具有众 多优势：更好的沟道控制能力；更低的漏电流；更低的阈值电压； 大幅缩减闸长。在 2D 构造 MOSFET 中，“闸极长度”大约 10nm，是左右构造中细小，难制作 的。当闸极长度缩小到 20nm 以下时，会产生“短沟道效应”：源极和漏极的距离 过近，闸极下方的氧化层愈来愈薄，电子可能发生“漏电”现象。FinFET 结构取 代老式的 MOSFET 后，凭借自身优异特性成功解决了这一问题，自 2013 年起，逐 步成为市场主流。
4.1. 海外巨头各有专长，占据刻蚀设备多数市场国内刻蚀设备企业起步较晚，目前全球市场大多被海外巨头占据；国际刻蚀设备 市场呈现高度垄断格局，泛林集团，东京电子，应用材料作为行业 TOP3，2020 年 占近 9 成市场份额。在巨头中，泛林集团深耕刻蚀领域多年，技术实力强， 市场份额高，其产品覆盖几乎所有工艺种类。中国国内企业中微，北方华创和屹唐半导体合计占据 2.36%的市场份额，不及排名第的日立高新或排名第 的韩国细美事，有着广阔的成长空间。4.1.1. 泛林集团（LAM）