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海南AFSCR电容电抗组件哪里专业(*新推荐)(2023更新中)(今日/产品)

作者:195p4r 时间:2023-12-28 01:21:59

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图3.19 一种典型的浮栅ETox闪存的工艺流程图3.20 传统浮栅单元的示意图FeRAM基于电容中的铁电极化,(相对于传统的浮栅闪存)有低功耗、低操作电压(1V)、高写寿命(1012 )和编程快(<100ns)等优点。铁电MiM电容(见图3.21)可与后端制程(BEOL) 集成,电容被封闭起来(避免由磁场强度引起的退化)。铁电电容的工艺流程如图3.22所示。FeRAM中研究多的材料是PZT(PbZrxTixO3 ),SBT(SrBi2Ta2O9 ),BTO(Bi4Ti3O12 ),它们拥有抗疲劳、工艺温度低、记忆性好、剩余极化高等令人满意的特性 。 一晶体管一电容(1T1C)(作为非挥发存储单元)的单元结构是常用的;而1T2C和2T2C单元则对工艺偏差有更强的适应性,并有更好的性能。需要注意的是拥有铁电栅介质的FET单元由于较差的记忆 性(几小时或几天)而使其应用受到限制,并且与前端制程 (FEOL)不兼容。 海南AFSCR电容电抗组件哪里专业(*新推荐)(2023更新中)(今日/产品)

海南AFSCR电容电抗组件哪里专业(*新推荐)(2023更新中)(今日/产品), 还有,通常LDO所需要的外围器件简单,占面积小,而DC/DC一般都会要求电感,极管,大电容,有的还会要MOSFET,特别是Boost电路,需要考虑电感的大工作电流,极管的反向恢复时间,大电容的ESR等等,所以从外围器件的选择来说比LDO复杂,而且占面积也相应的会大很多。