贵阳开关器件系列。今日报价(2023更新成功)(今日/服务详解)，客户群体从单一的电子制造业，扩展到设备制造，核电，电力，激光，医疗等行业，涉及几千个品牌，是一家致力于为国内电子制造、机械，设备制造、医疗设备、航空航天、核能机车等行业的制造型企业提供进口电子电气、工业零件及配件的一站式供应商。
贵阳开关器件系列。今日报价(2023更新成功)(今日/服务详解)， 此文档是作为张占松高级开关电源设计之后的强化培训，基于计划安排，由申工讲解了变压器设计之后，在此文章中简单带过变压器设计原理，重点讲解电路工作原理和设计过程中关键器件计算与选型。开关电源的工作过程相当容易理解，其拥有个明显特征：开关：电力电子器件工作在开关状态而不是线性状态高频：电力电子器件工作在高频而不是接近工频的低频
第步：决定开关性能 选择MOSFET的后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响。 基于开关性能的重要性，新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷；而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗，新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生，旨在减少栅极电荷。举例说，SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)，限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。
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